#1 |
数量:2000 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:2010 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:5108 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
BSC080N03MS G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 53A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 27nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2100pF @ 15V |
功率 - 最大 | 35W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
associated | FDMS7692A |
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